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BYVB32-100-E3/45 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BYVB32-100-E3/45 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | BYVB32-100-E3/45-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BYVB32-100-E3/45 |
Beschreibung | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathoden 100 V 18A Oberflächenmontage TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Geschwindigkeit Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io) |
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Umkehrerholungszeit (trr) 25 ns |
Verpackung Stange | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 10 µA @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur - Übergang -65°C bis 150°C |
Diodenkonfiguration 1 Paar gemeinsame Kathoden | Montagetyp Oberflächenmontage |
Technologie Standard | Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AB (D2PAK) |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 18A | Basis-Produktnummer |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.15 V @ 20 A |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| BYVB32-200-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYVB32-200-M3/ITR-ND | € 0,92650 | Vom Hersteller empfohlen |
| SBR30A100CTB-13 | Diodes Incorporated | 129 | SBR30A100CTBDICT-ND | € 1,95000 | Ähnlich |
Obsolet
