Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)

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XPH4R10ANB,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPH4R10ANB,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 70 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPH4R10ANB,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 75 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4970 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,1mOhm bei 35A, 10V	Basis-Produktnummer XPH4R10
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1mA