N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

DigiKey-Teilenr.
264-TW083N65CS1F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TW083N65C,S1F
Beschreibung
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 600µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
873 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
111W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
113mOhm bei 15A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 15,26000€ 15,26
30€ 9,44433€ 283,33
120€ 8,17025€ 980,43
510€ 7,66927€ 3.911,33
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