N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

DigiKey-Teilenr.
264-TW048N65CS1F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TW048N65C,S1F
Beschreibung
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1,6mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1362 pF @ 400 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
132W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 20A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 18,46000€ 18,46
30€ 11,61333€ 348,40
120€ 10,11608€ 1.213,93
510€ 9,78553€ 4.990,62
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