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Toshiba Semiconductor and Storage
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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Durchkontaktierung TO-220NIS
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TTC009,F(J

DigiKey-Teilenr.
TTC009F(J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TTC009,F(J
Beschreibung
TRANS NPN 80V 3A TO-220NIS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Durchkontaktierung TO-220NIS
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 500mA, 5V
Herst.
Leistung - Max.
2 W
Verpackung
Lose im Beutel
Frequenz - Übergang
150MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220NIS
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 100mA, 1A
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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