Name: TRS40H120H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS40H120HS1Q-ND
Price: 21.096 EUR
Availability: InStock

Dioden 1200 V 102A Durchkontaktierung TO-247-2L

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TRS40H120H,S1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TRS40H120HS1Q-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS40H120H,S1Q
Beschreibung	1200 V/40 A SIC SCHOTTKY BARRIER
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 102A Durchkontaktierung TO-247-2L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden	Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns
Verpackung Stange	Strom - Sperrleckstrom bei Vr 230 µA @ 1.2 kV
Status der Komponente Aktiv	Kapazität bei Vr, F 4368pF bei 1V, 1MHz
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Montagetyp Durchkontaktierung
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 1200 V	Gehäuse / Hülle TO-247-2
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 102A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-2L
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.45 V @ 40 A	Betriebstemperatur - Übergang 175°C

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 17,58000	€ 17,58
30	€ 11,00800	€ 330,24
120	€ 9,56867	€ 1.148,24
510	€ 9,08861	€ 4.635,19

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