Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 3.996 EUR
Availability: InStock

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TPW5200FNH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPW5200FNH,L1Q
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 26 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 52mOhm bei 13A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2200 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DSOP Advance-Gehäuse
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN