Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 3.984 EUR
Availability: OutOfStock

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TPW1R306PL,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPW1R306PLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPW1R306PL,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPW1R306PL,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 91 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8100 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DSOP Advance-Gehäuse
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 260 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPW1R306
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,29mOhm bei 50A, 10V