Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.536 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 60 V 72 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)

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TPN4R806PL,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN4R806PL,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 72 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN4R806PL,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 300µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2770 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 72 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPN4R806
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 36A, 10V