Name: TPN30008NH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN30008NHLQTR-ND
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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TPN30008NH,LQ
DigiKey-Teilenr.	TPN30008NHLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN30008NHLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN30008NHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN30008NH,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 9,6 A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN30008NH,LQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 100µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TPN30008
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 30mOhm bei 4,8A, 10V