Name: TPN1R603PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1R603PLL1QTR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

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TPN1R603PL,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPN1R603PLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN1R603PLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN1R603PL,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 80 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN1R603PL,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 300µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPN1R603
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,6mOhm bei 40A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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TPN1R603PL,L1Q