Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.344 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)

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TPN1200APL,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN1200APL,L1Q
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,5mOhm bei 20A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 300µA
Serie U-MOSIX-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1855 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN