Name: TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R008QMLQTR-ND
Price: 2.34 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH3R008QM,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPH3R008QMLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH3R008QMLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH3R008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH3R008QM,LQ
Beschreibung	80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 50A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 900µA
Serie U-MOSX-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 71 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7200 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN