Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 2.652 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH2R70AR5,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH2R70AR5,LQ
Beschreibung	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5400 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 210W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22A (Ta), 190A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7mOhm bei 50A, 10V