Name: TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R306NH1LQTR-ND
Price: 2.496 EUR
Availability: InStock

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TPH2R306NH1,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPH2R306NH1LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH2R306NH1LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH2R306NH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH2R306NH1,LQ
Beschreibung	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 136 A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 50A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 72 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6100 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 800mW (Ta), 170W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 136 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN