Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 3.6 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH2900ENH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPH2900ENHL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPH2900ENHL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH2900ENH,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 33 A (Ta) 78W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPH2900ENH,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2200 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TPH2900
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 16,5A, 10V