Name: TPCC8105,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPCC8105,L1QTR-ND
Price: 1.32 EUR
Availability: InStock

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TPCC8105,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPCC8105,L1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPCC8105,L1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPCC8105,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPCC8105,L1Q
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 23 A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,8mOhm bei 11,5A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 500µA
Serie U-MOSVI	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 76 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -25V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3240 pF @ 10 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-VDFN mit freiliegendem Pad

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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TPCC8105,L1Q