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N-Kanal 650 V 9,3 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 9,3 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
TO-220-3 Full Pack

TK9A65W,S5X

DigiKey-Teilenr.
TK9A65WS5X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK9A65W,S5X
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 9,3 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK9A65W,S5X Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 350µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 300 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500mOhm bei 4,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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50€ 1,33260€ 66,63
100€ 1,20130€ 120,13
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