Name: TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 1.968 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 60 V 8 A (Ta) 25W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

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TK8S06K3L(T6L1,NQ)
DigiKey-Teilenr.	264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK8S06K3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 8 A (Ta) 25W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK8S06K3L(T6L1,NQ) Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 10 V
Serie U-MOSIV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer TK8S06
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 4A, 10V