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N-Kanal 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
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TK8P60W,RVQ

DigiKey-Teilenr.
TK8P60WRVQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK8P60W,RVQ
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK8P60W,RVQ Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,7V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
570 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
TK8P60
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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