Name: TK5A90E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5A90E,S4X-ND
Price: 2.352 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 900 V 4,5 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK5A90E,S4X
DigiKey-Teilenr.	264-TK5A90E,S4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK5A90E,S4X
Beschreibung	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 4,5 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,1Ohm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 450µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	950 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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50	€ 0,95620	€ 47,81
100	€ 0,85820	€ 85,82
500	€ 0,68642	€ 343,21
1 000	€ 0,63119	€ 631,19
2 000	€ 0,58476	€ 1.169,52
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Standardverpackung des Herstellers

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