N-Kanal 650 V 4,5 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
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TK5A65DA(STA4,Q,M)

DigiKey-Teilenr.
TK5A65DA(STA4QM)-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4,5 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,67Ohm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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