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N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 30W Durchkontaktierung TO-220SIS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 30W Durchkontaktierung TO-220SIS
TO-220-3 Full Pack

TK560A65Y,S4X

DigiKey-Teilenr.
TK560A65YS4X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK560A65Y,S4X
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 30W Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK560A65Y,S4X Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 240µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
380 pF @ 300 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
30W
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
560mOhm bei 3,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCPF600N60Zonsemi624FCPF600N60Z-ND€ 2,75000Ähnlich
R6012ANXRohm Semiconductor0R6012ANX-ND€ 2,06274Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,44000€ 2,44
50€ 1,20160€ 60,08
100€ 1,08130€ 108,13
500€ 0,87022€ 435,11
1 000€ 0,80237€ 802,37
2 000€ 0,74533€ 1.490,66
5 000€ 0,68364€ 3.418,20
10 000€ 0,66823€ 6.682,30
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