Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 2.424 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK4R4P06PL,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK4R4P06PLRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK4R4P06PLRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK4R4P06PL,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 58 A (Tc) 87W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK4R4P06PL,RQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,4mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3280 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	87W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK4R4P06