Name: TK4R3E06PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R3E06PLS1X-ND
Price: 2.412 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK4R3E06PL,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK4R3E06PLS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK4R3E06PL,S1X
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 80 A (Tc) 87W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK4R3E06PL,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,2mOhm bei 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3280 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	87W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK4R3E06

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,01000	€ 2,01
50	€ 0,98320	€ 49,16
100	€ 0,88300	€ 88,30
500	€ 0,70710	€ 353,55
1 000	€ 0,65055	€ 650,55
2 000	€ 0,60300	€ 1.206,00
5 000	€ 0,58408	€ 2.920,40

Standardverpackung des Herstellers

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