Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 3.984 EUR
Availability: InStock

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TK55S10N1,LQ
DigiKey-Teilenr.	TK55S10N1LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK55S10N1LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK55S10N1,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK55S10N1,LQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 500µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3280 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 157W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK55S10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,5mOhm bei 27,5A, 10V