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TK35N65W,S1F | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TK35N65WS1F-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK35N65W,S1F |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 35 A (Ta) 270W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK35N65W,S1F Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 2,1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4100 pF @ 300 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 270W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 80mOhm bei 17,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH35N60 | onsemi | 0 | FCH35N60-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW65R080CFDFKSA1-ND | € 4,66025 | Ähnlich |
| IXFX64N60P3 | IXYS | 298 | 238-IXFX64N60P3-ND | € 15,66000 | Ähnlich |
| IXFX80N60P3 | IXYS | 188 | IXFX80N60P3-ND | € 20,58000 | Ähnlich |
| SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPW47N65C3FKSA1-ND | € 7,19108 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 9,53000 | € 9,53 |
| 30 | € 5,66133 | € 169,84 |
| 120 | € 4,81208 | € 577,45 |
| 510 | € 4,19033 | € 2.137,07 |
| 1 020 | € 4,15920 | € 4.242,38 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 9,53000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 11,43600 |




