Name: TK31N60W5,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31N60W5S1VF-ND
Price: 9.732 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 230W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK31N60W5,S1VF
DigiKey-Teilenr.	TK31N60W5S1VF-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK31N60W5,S1VF
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 230W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK31N60W5,S1VF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 15,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK31N60

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