Name: TK2Q60D(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK2Q60D(Q)-ND
Price: 1.452 EUR
Availability: InStock

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TK2Q60D(Q)
DigiKey-Teilenr.	TK2Q60D(Q)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK2Q60D(Q)
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 2 A (Ta) 60W (Tc) Durchkontaktierung PW-MOLD2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7 nC @ 10 V
Serie π-MOSVII	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 280 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PW-MOLD2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK2Q60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,3Ohm bei 1A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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