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N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
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TK14G65W5,RQ

DigiKey-Teilenr.
TK14G65W5RQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK14G65W5,RQ
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK14G65W5,RQ Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 690µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
TK14G65
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Menge
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Standardverpackung des Herstellers
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