Name: TJ90S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND
Price: 2.544 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

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TJ90S04M3L,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ90S04M3LLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ90S04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ90S04M3L,LXHQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TJ90S04M3L,LXHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 172 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7700 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,3mOhm bei 45A, 10V	Basis-Produktnummer TJ90S04
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 1mA