Name: SSM6K517NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K517NULFTR-ND
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6K517NU,LF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM6K517NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM6K517NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM6K517NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K517NU,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 6 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFNB (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6K517NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +12V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 310 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-UDFNB (2x2)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 6-WDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 39,1mOhm bei 2A, 4,5V	Basis-Produktnummer SSM6K517

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 2 880

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)