Name: SSM6K217FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K217FELFTR-ND
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

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SSM6K217FE,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6K217FELFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6K217FELFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6K217FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K217FE,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 1,8 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6K217FE,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1.1 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 130 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten ES6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,8 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-563, SOT-666
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 8V	Basis-Produktnummer SSM6K217
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 195mOhm bei 1A, 8V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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