SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Einzelne FETs, MOSFETs

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Toshiba Semiconductor and Storage

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SSM6K211FE,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6K211FELFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6K211FELFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K211FE,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6K211FE,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSIII	Vgs (Max.) ±10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 510 pF @ 10 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten ES6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-563, SOT-666
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SSM6K211
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 47mOhm bei 2A, 4,5V