Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 0.648 EUR
Availability: InStock

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SSM6J512NU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6J512NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6J512NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J512NU,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 10 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFNB (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J512NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19.5 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVII	Vgs (Max.) ±10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 6 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-UDFNB (2x2)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 6-WDFN mit freiliegendem Pad
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 8V	Basis-Produktnummer SSM6J512
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,2mOhm bei 4A, 8V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)