Name: SSM3K56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K56MFVL3FTR-ND
Price: 0.408 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K56MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3K56MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K56MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K56MFV,L3F
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K56MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 55 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 800mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-723
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SSM3K56
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 235mOhm bei 800mA, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 129 715

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)