Name: RN2427TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN2427TE85LFTR-ND
Price: 0.504 EUR
Availability: InStock

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RN2427TE85LF
DigiKey-Teilenr.	264-RN2427TE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-RN2427TE85LFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-RN2427TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN2427TE85LF
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 90 bei 100mA, 1V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 1mA, 50mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Status der Komponente Aktiv	Frequenz - Übergang 200 MHz
Transistor-Typ PNP mit Vorspannung	Leistung - Max. 200 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800 mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Widerstände enthalten R1 und R2	Gehäusetyp vom Lieferanten S-Mini
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms	Basis-Produktnummer RN2427
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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RN2427TE85LF