RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

RN1965(TE85L,F) ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RN1965(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	RN1965(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1965(TE85L,F)
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250MHz 200mW Oberflächenmontage US6
EDA/CAD-Modelle	RN1965(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	2 NPN - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	2,2kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	47kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	80 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung - Max.	200mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten	US6
Basis-Produktnummer	RN1965