RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage | Bipolare Transistorarrays, vorgespannt

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RN1962TE85LF
DigiKey-Teilenr.	RN1962TE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1962TE85LF
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250MHz 500mW Oberflächenmontage US6

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 50 bei 10mA, 5V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 250µA, 5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)
Status der Komponente Obsolet	Frequenz - Übergang 250MHz
Transistor-Typ 2 NPN - vorgespannt (zweif.)	Leistung - Max. 500mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V	Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 10kOhm	Gehäusetyp vom Lieferanten US6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhm	Basis-Produktnummer RN1962

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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