Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
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RN1131MFV(TL3,T)

DigiKey-Teilenr.
RN1131MFV(TL3T)CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RN1131MFV(TL3,T)
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
EDA/CAD-Modelle
RN1131MFV(TL3,T) Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 1mA, 5V
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 500µA, 5mA
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
150 mW
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Gehäuse / Hülle
SOT-723
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
VESM
Widerstände enthalten
Nur R1
Basis-Produktnummer
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DTC115TM3T5Gonsemi535 500488-DTC115TM3T5GCT-ND€ 0,22000Ähnlich
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