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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 80 mA 100 mW Oberflächenmontage CST3
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RN1109ACT(TPL3)

DigiKey-Teilenr.
RN1109ACT(TPL3)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RN1109ACT(TPL3)
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 80 mA 100 mW Oberflächenmontage CST3
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
150mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Leistung - Max.
100 mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SC-101, SOT-883
Gehäusetyp vom Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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