Name: RN1109,LXHF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1109LXHF(CTTR-ND
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

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RN1109,LXHF(CT
DigiKey-Teilenr.	264-RN1109LXHF(CTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-RN1109LXHF(CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-RN1109LXHF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1109,LXHF(CT
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Oberflächenmontage SSM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 250µA, 5mA
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 250 MHz
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 100 mW
Transistor-Typ NPN mit Vorspannung	Klasse Automobiltechnik
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Qualifizierung AEC-Q101
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Widerstände enthalten R1 und R2	Gehäuse / Hülle SC-75, SOT-416
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms	Gehäusetyp vom Lieferanten SSM
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22 kOhms	Basis-Produktnummer RN1109
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 bei 10mA, 5V

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