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RN1105MFV,L3F | |
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DigiKey-Teilenr. | RN1105MFV,L3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | RN1105MFV,L3F |
Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | RN1105MFV,L3F Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Transistor-Typ | NPN mit Vorspannung | |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100 mA | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50 V | |
Widerstände enthalten | R1 und R2 | |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47 kOhms | |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 bei 10mA, 5V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV bei 500µA, 5mA | |
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) | 500nA | |
Leistung - Max. | 150 mW | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | SOT-723 | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | VESM | |
Basis-Produktnummer |




