MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

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MT3S111TU,LF
DigiKey-Teilenr.	MT3S111TULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) MT3S111TULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	MT3S111TU,LF
Beschreibung	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	HF-Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Oberflächenmontage UFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	6V
Frequenz - Übergang	10GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)	0,6dB bis 0,85dB bei 500MHz bis 1GHz
Verstärkung	12,5dB
Leistung - Max.	800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	200 bei 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	3-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	UFM
Basis-Produktnummer	MT3S111

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Menge

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)