Name: HN4C51J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4C51J(TE85LF)TR-ND
Price: 0.636 EUR
Availability: InStock

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HN4C51J(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	HN4C51J(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HN4C51J(TE85LF)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) HN4C51J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	HN4C51J(TE85L,F)
Beschreibung	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 NPN (Dual) Basisschaltung 120V 100mA 100MHz 300mW Oberflächenmontage SMV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	HN4C51J(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 200 bei 2mA, 6V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Leistung - Max. 300mW
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 100MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Basisschaltung	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Gehäuse / Hülle SC-74A, SOT-753
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V	Gehäusetyp vom Lieferanten SMV
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 1mA, 10mA	Basis-Produktnummer HN4C51
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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