Name: HN1C01FYTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1C01FYTE85LFTR-ND
Price: 0.324 EUR
Availability: OutOfStock

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HN1C01FYTE85LF
DigiKey-Teilenr.	HN1C01FYTE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HN1C01FYTE85LFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HN1C01FYTE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	HN1C01FYTE85LF
Beschreibung	TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 NPN (zweifach) 50V 150mA 80MHz 300mW Oberflächenmontage SM6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 120 bei 2mA, 6V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Leistung - Max. 300mW
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 80MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Transistor-Typ 2 NPN (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA	Gehäuse / Hülle SC-74, SOT-457
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V	Gehäusetyp vom Lieferanten SM6
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 10mA, 100mA	Basis-Produktnummer HN1C01
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IMX1T110	Rohm Semiconductor	27 052	IMX1T110CT-ND	€ 0,40000	Ähnlich

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HN1C01FYTE85LF