Name: RN1701JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1701JE(TE85LF)TR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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RN1701JE(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	RN1701JE(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN1701JE(TE85LF)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RN1701JE(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1701JE(TE85L,F)
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (dual, emittergekoppelt) 50V 100mA 250MHz 100mW Oberflächenmontage ESV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN1701JE(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 bei 10mA, 5V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 250µA, 5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)
Status der Komponente Aktiv	Frequenz - Übergang 250MHz
Transistor-Typ 2 NPN - vorgespannt (dual, emittergekoppelt)	Leistung - Max. 100mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V	Gehäuse / Hülle SOT-553
Widerstand - Basis (R1) 4,7kOhm	Gehäusetyp vom Lieferanten ESV
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4,7kOhm	Basis-Produktnummer RN1701

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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RN1701JE(TE85L,F)