Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 7.296 EUR
Availability: InStock

IGBT 600 V 50 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)

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GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey-Teilenr.	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT50JR22(STA1,E,S)
Beschreibung	IGBT 600V 50A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 50 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,2V bei 15V, 50A
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Leistung - Max. 230 W
Verpackung Stange	Eingangstyp Standard
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50 A	Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 100 A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P(N)

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