IGBT 1200 V 40 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
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GT40QR21(STA1,E,D

DigiKey-Teilenr.
264-GT40QR21(STA1ED-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GT40QR21(STA1,E,D
Beschreibung
IGBT 1200V 40A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 1200 V 40 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Schaltenergie
-, 290µJ (Aus)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Eingangstyp
Standard
Verpackung
Stange
Testbedingung
280V, 40A, 10Ohm, 20V
Status der Komponente
Aktiv
Umkehrerholungszeit (trr)
600 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
40 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
80 A
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 40A
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P(N)
Leistung - Max.
230 W
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Stange
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Standardverpackung des Herstellers
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