Name: 2SA1987-O(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA1987-O(Q)-ND
Price: 4.512 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SA1987-O(Q)
DigiKey-Teilenr.	2SA1987-O(Q)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	2SA1987-O(Q)
Beschreibung	TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 230 V 15 A 30MHz 180 W Durchkontaktierung TO-3P(L)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2SA1987-O(Q) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	230 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 800mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	80 bei 1A, 5V
Leistung - Max.	180 W
Frequenz - Übergang	30MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3PL
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(L)
Basis-Produktnummer	2SA1987